Huawei a depus recent un brevet care arată cum compania poate fabrica cipuri de 2 nm folosind doar litografie DUV, o tehnologie considerată deja depășită. Acest lucru este remarcabil, având în vedere sancțiunile impuse de SUA și aliații lor, care au limitat accesul Chinei la tehnologiile avansate de producere a cipurilor. Brevetul descrie o tehnică de modelare multiplă ultra-avansată capabilă să atingă un pas metalic de 21 nm, apropiind astfel rezultatul final de performanțele nodurilor de 2 nm ale TSMC și Samsung.

Metoda propusă de Huawei este un flux extrem de optimizat de tip Self-Aligned Quadruple Patterning, care reduce numărul de expuneri DUV la doar patru, mult sub nivelul obișnuit pentru litografia multiplă la scară nanometrică. Acest proces ar putea permite companiei să sară direct de la actualele cipuri Kirin 9030 la generația 2 nm, ocolind bariera tehnologică impusă de sancțiunile americane. Cu toate acestea, entuziasmul este temperat de realitatea industriei: procesarea multiplă extrem de fină vine cu un randament foarte scăzut, ceea ce înseamnă pierderi mari în fabricație și costuri mult peste cele ale proceselor pe EUV.

SAQP reprezintă o abordare inovatoare a litografiei DUV, care ar putea deveni o armă strategică pentru Huawei în lupta pentru supremație în industria cipurilor. Dacă compania și partenerul SMIC reușesc să optimizeze și să industrializeze acest flux, impactul ar fi uriaș. Succesul ar demonstra că sancțiunile SUA nu pot opri avansul tehnologic al Chinei și ar propulsa țara mult mai aproape de independența totală în zona semiconductorilor, un obiectiv național declarat.

În concluzie, brevetul Huawei arată o posibilă soluție pentru a ocoli sancțiunile și a continua dezvoltarea cipurilor avansate. Deși există provocări mari în implementarea acestei tehnologii, reușita ar fi un pas important pentru independența Chinei în industria semiconductorilor și ar putea avea implicații semnificative pentru întreaga industrie a tehnologiei.